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珠海炬力笔试题（部分、答案仅供参考）
在平时的学习、工作中，我们都要用到试题，借助试题可以为主办方提供考生某方面的知识或技能状况的信息。你所见过的试题是什么样的呢？以下是小编收集整理的珠海炬力笔试题（部分、答案仅供参考），欢迎大家借鉴与参考，希望对大家有所帮助。
珠海炬力笔试题
1． 降低NMOS的开启电压VT的方法，哪种无效？ C
A. 减少衬底的P型掺杂浓度
B. 减少氧化层厚度
C. 增加源漏极的N型掺杂浓度
D. 减少沟道长度
2． IO PAD 的设计，一般不常考虑的因素 D
A. ESD特性
B. 驱动能力
C. 施密特触发器
D. 衬偏效应
3． 逻辑电路低功耗设计中，无效的方法 C
A. 采用慢速设计
B. 减少信号翻转
C. 减少IC面积
D. 采用较慢速的时钟。
1． 写出序列探测器“11000”的RTL代码。
module(data_in,reset,clk,find);
input data_in,reset,clk;
output data_out;
parameter S0=0,S1=1,S2=2,S3=3,S4=4;
reg[2:0] state;
wire[2:0]next_state;
assign find=0;
always @(state)
case(state)
S0: begin
find=0;
if(data_in)
next_state=S1;
else
next_state=S0;
end
S1: begin
find=0;
if(data_in)
next_state=S2;
else
next_state=S0;
end
S2: begin
find=0;
if(!data_in)
next_state=S3;
else
next_state=S0;
end
S3: begin
find=0;
if(!data_in)
next_state=S4;
else
next_state=S0;
end
S4: begin
if(!data_in)
find=1;
else
find=0;
next_state=S0;
endcase
always@(posedge clk or negedge reset)
if(!reset)
begin
state<=S0;
end
else
stata<=next_state;
一、选择题
1.降低NMOS的开启电压VT的方法，哪种无效?
A.减少衬底的P型掺杂浓度
B.减少氧化层厚度
C.增加源漏极的N型掺杂浓度
D.减少沟道长度
2.IO PAD 的设计，一般不常考虑的因素
A.ESD特性
B.驱动能力
C.施密特触发器
D.衬偏效应
3.逻辑电路低功耗设计中，无效的方法
A.采用慢速设计
B.减少信号翻转
C.减少IC面积
D.采用较慢速的时钟。
二、问答题
1.写出序列探测器“11000”的RTL代码。
2.分析一个CMOS电路的逻辑功能(同或门)。
3.分析一个CMOS电路的逻辑功能(三态门)。
4.画出全加器的CMOS电路，说明延时的估算方法。
5.A,B为两个时钟，频率差最小为1/8。如果A的频率高，C="0";否则C="1";编程实现。
6.编程实现FIR滤波器，系数为C0,C1,C2,C3,C2,C1,C0。输入了DI，输出了DO。系数和DI均为8比特。
7.一个圆盘，一半黑，一半白。有两个探测器，用1表示白，0表示黑。设计一个电路，可以探测出圆盘是顺时针转动还是逆时针转动
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