电源工程师面试笔试指南
最近看网上多了很多毕业设计相关的帖子，原来又到一年毕业时，感叹时间的飞快! 回想起自己当年邻近毕业的那段，除了忙于毕业设计，印象最深的就是找工作---参加校园招聘的日子。
电源工程师面试笔试指南
参加过IC公司、电源公司的招聘，大多是“笔试+面试”的模式。
华为电源面试，是我参加过的最正式和流程最多的面试，没有之一。我认为有机会，多参加这样的面试，你会学到更多。
本帖分享下我的华为电源面试经历，和大家交流，同时也希望能给即将毕业的或者新人做个参考。
帖中将包括两部分内容：
1、 华为电源面试过程分享
2、 面(笔)试题分享
(有华为的面试题、IC公司招AE的笔试题、电源公司招工程师的笔试题，题目不是很难，但我觉得都很好，各位看看对几个。)
下面开始
第一部分：华为电源面试过程
参加华为电源的招聘，比较偶然，那时候刚好到我们学校来招聘，而我原来在外面实习，因为毕业论文要回校处理，就这么碰上了。
华为电源校招时没有笔试题，主要是以下几个流程，我画了张图。个别的由于时间安排关系，顺序会有调整。
面试过程中给人一种压力感，从网申开始，每一关都可能刷人。这面试有点像游戏中的打怪升级。
最近看论坛多了很多毕业设计相关的帖子，原来又到一年毕业时，感叹时间的飞快! 回想起自己当年邻近毕业的那段，除了忙于毕业设计，印象最深的就是找工作---参加校园招聘的日子。
参加过IC公司、电源公司的招聘，大多是“笔试+面试”的模式。
华为电源面试，是我参加过的最正式和流程最多的面试，没有之一。我认为有机会，多参加这样的面试，你会学到更多。
本帖分享下我的华为电源面试经历，和大家交流，同时也希望能给即将毕业的或者新人做个参考。
下面包括两部分内容：
1、 华为电源面试过程分享
2、 面(笔)试题分享
(有华为的面试题、IC公司招AE的笔试题、电源公司招工程师的笔试题，题目出的都蛮好，各位看看能否拿多少分。)
开关电源工程师面试题--你能打多少分?
共25题1---20题每题3分21---25题每题8分(答案见文章末尾处)
1 ， 一般情况下，同功率的'开关电源与线性电源相比， _____ 。
A, 体积大，效率高
B，体积小，效率低
C, 体积不变，效率低
D, 体积小，效率高
2 ，大功率开关电源常用变换拓扑结构形式是 _____ 。
A, 反激式
B, 正激式
C, 自激式
D, 他激式
3,一般来说，提高开关电源的频率，则电源_____。
A,同体积时，增大功率
B,功率减小，体积也减小
C,功率增大，体积也增大
D,效率提高，体积增大
4，肖特基管和快恢复管常作为开关电源的____。
A,输入整流管
B,输出整流管
C,电压瞬变抑制管
D,信号检波管
5，肖特基管与快恢复管相比，____。
A,耐压高
B,反向恢复时间长
C,正向压降大
D,耐压低，正向压降小
6，GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，那些是开关电源中变压器常用的驱动元件?____。
A,GTO和GTRB,TRIAC和IGBT
C,MOSFET和IGBT
D，SCR和MOSFET
7，开关电源变压器的损耗主要包括：____。
A,磁滞损耗、铜阻损耗、涡流损耗
B,磁滞损耗、铜阻损耗、介电损耗
C,铜阻损耗、涡流损耗、介电损耗
D,磁滞损耗、涡流损耗、介电损耗
几个开关电源工程师基础笔试题
1、普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示：psn结构，s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。
2、在现代开关器件中，经常可以看到punch through技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。
3、IGBT有“电导调制”的特点，应此igbt在大电流，较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?
4、thyristor和gto结构上大同小异，但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。
5、在大电流应用场合，有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联，哪些不可以?原因是什么?
6、在常用的dcdc converter中，如buck converter 或boost converter，二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗，请给出两种方法。提示：新器件及拓扑结构。
答案往下(仅供参考而已)
1答：通常为了增加二极管的耐压，理论上可以增厚pn结，并且降低杂质浓度，但是缺点是正相导通损耗变大。
通过加一层低杂质的s层，性能得到改观：正相导通的时候s层完全导通，近似于短路，直接pn连接，所以压降小;反相接电压的时候，由于s层的杂质浓度低，电导低，或者说此s层能够承受的最大电场E较大，所以s层能够承受较大电压而不被击穿。
2答：在开关器件中，用于提高耐压的s层往往并没有得到充分的利用，因为s层的一端耐压为Emax的时候，另外一段为0，也就是说，E在s层并不是均匀分布的，Umax~0.5(Emax+Emin)——注意，器件耐压只取决于s层中E对于l长度的积分。punch through就是在s层与pn结直接再加一层高杂质掺杂的薄层，使得此层中电场由Emax变化到Emin=0，而真正的s层中处处场强都接近于Emax。
理论上，通过punch through技术，s层的宽度可以减少50%——在耐压不变的前提下。实际中由于s层必须有一定的电导，宽度会略大于50%。
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