奇码数字信息有限公司笔试题
1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
【奇码数字信息有限公司笔试题】相关文章：
太古地产有限公司笔经02-19
广州本田汽车有限公司笔试题02-18
山东高速股份有限公司的笔试题目06-28
中国银行笔试题回顾，新鲜笔经！11-21
广东省广告股份有限公司笔试题目11-21
迅雷JAVA广州站二笔笔试题目分享11-21
大唐移动测试工程师笔经，笔试题目分享11-21
网易笔经11-11
奥美笔经02-23
腾讯笔试题 试题分享02-24