干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案

干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案

全部作者： 赵弘鑫 程秀兰 第1作者单位： 中芯国际集成电路制造有限公司 论文摘要： 在半导体制造工艺的干法刻蚀（Dry Etching）中，对于刻蚀薄膜表面面积大小的差异性会造成负载效应（Loading effect）。然而这种负载效应影响到干刻蚀的蚀刻率（Etch Rate）和选择比(Selectivity)而在产品上出现严重的缺陷。本文阐述了负载效应的基本原理和造成选择比差异性的成因以及对于由此产生产品缺陷的具体解决方案。 关键词： 半导体制造，干法刻蚀，负载效应，选择比，缺陷 (浏览全文) 发表日期： 2008年04月30日 同行评议：

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