- 相关推荐
二极管相关的专业术语
大家对二极管的专业术语了解吗?知道二极管都有哪些专业术语吗?下面，小编为大家分享二极管相关的专业术语，快来看看吧!
二极管相关的专业术语 1
Schottky barrier double rectifier diode萧特基势垒双整流二极管
Zener diode齐纳二极管
backward diode逆向二极管
avalanche photo diode (APD)雪崩光电二极管
blocking diode阻塞二极管
diode capacitor二极管电容器
Freewheel diode续流二极管
Esaki diode隧道二极管;江崎二极管
PIN diode PIN型二极管
Schottky diode肖特基二极管
tunnel diode隧道二极管
transient suppression diode瞬变抑制二极管
resistor-capacitor diode (RCD)电阻器电容器二极管
rectifier diode整流二极管
parasitic diode寄生二极管
clamp diode钳位二极管
common-cathode double diode共阴极双二极管
crystal diode晶体二极管
diode-transistor logic (DTL)二极管晶体管逻辑
variable capacitance diode, variode变容二极管
二极管相关的专业术语 2
一、基础特性与原理类术语
PN 结（PN Junction）
二极管的核心结构，由 P 型半导体（含空穴多数载流子）与 N 型半导体（含电子多数载流子）通过掺杂工艺形成的界面区域。PN 结具有单向导电性，正向偏置时载流子扩散形成电流，反向偏置时形成耗尽层阻碍电流，是二极管实现整流、开关等功能的基础。
单向导电性（Unidirectional Conductivity）
二极管的核心特性：当阳极（P 区）接电源正极、阴极（N 区）接电源负极（正向偏置）时，正向电阻小，电流可顺利通过；当电极极性反向（反向偏置）时，反向电阻极大，电流几乎无法通过（仅极微弱的反向漏电流）。
正向偏置（Forward Bias）
使二极管导通的外部电压连接方式：电源正极接二极管阳极，负极接阴极，电压方向与 PN 结内建电场方向相反，可削弱内建电场，促进载流子扩散，形成正向导通电流。
反向偏置（Reverse Bias）
使二极管截止的外部电压连接方式：电源正极接二极管阴极，负极接阳极，电压方向与 PN 结内建电场方向相同，可增强内建电场，扩大耗尽层，抑制载流子扩散，仅产生微弱的反向漏电流。
耗尽层（Depletion Layer）
PN 结界面处，电子从 N 区向 P 区扩散、空穴从 P 区向 N 区扩散后，形成的无自由载流子的离子化区域（N 区侧带正电，P 区侧带负电）。耗尽层宽度随反向偏置电压增大而变宽，随正向偏置电压增大而变窄。
内建电场（Built-in Electric Field）
耗尽层内由 N 区正离子与 P 区负离子形成的自然电场，方向从 N 区指向 P 区，可阻碍载流子进一步扩散，最终使 PN 结达到动态平衡，是二极管单向导电的核心物理机制。
二、二极管类型与结构类术语
整流二极管（Rectifier Diode）
用于将交流电（AC）转换为直流电（DC）的二极管，具有较高的正向电流承受能力和反向耐压值，常见于电源整流电路（如桥式整流、半波整流），典型型号如 1N4007（小电流）、HER207（快恢复型）。
发光二极管（LED, Light-Emitting Diode）
基于 “电致发光” 原理工作的半导体二极管：正向导通时，电子与空穴在 PN 结复合，释放能量并转化为可见光（颜色由半导体材料禁带宽度决定，如 GaAs 发红光、GaN 发蓝光），广泛用于显示、照明领域。
稳压二极管（Zener Diode）
工作于反向击穿区的特殊二极管，具有 “反向击穿后电压基本恒定” 的特性：当反向电压超过 “稳压值（Vz）” 时，反向电流急剧增大，但两端电压保持稳定，用于电路稳压、过压保护，典型型号如 1N4733（3.3V 稳压）。
肖特基二极管（Schottky Diode）
以金属（如铝、金）与 N 型半导体接触形成 “肖特基势垒” 为核心的二极管，具有正向压降小（约 0.2-0.4V，远低于普通硅二极管的' 0.7V）、开关速度快的特点，常用于高频整流、低压大电流电路（如手机充电器）。
快恢复二极管（Fast Recovery Diode, FRD）
反向恢复时间极短（通常 <100ns）的整流二极管，可减少高频电路中的开关损耗，适用于开关电源、逆变器等高频场合，与普通整流二极管（反向恢复时间> 1μs）相比，高频性能更优。
变容二极管（Varactor Diode）
利用 “反向偏置电压改变耗尽层宽度，进而改变结电容” 特性的二极管：反向电压增大时，耗尽层变宽，结电容减小；反之则结电容增大，可作为 “电压控制电容” 用于射频电路（如调谐器、振荡器）。
光电二极管（Photodiode）
将光信号转换为电信号的二极管，工作于反向偏置状态：当光线照射 PN 结时，光子能量激发耗尽层产生电子 - 空穴对，形成反向光电流（光电流大小与光照强度成正比），用于光检测（如光纤通信、光电传感器）。
三、关键参数与性能类术语
正向导通电压（Forward Voltage Drop, VF）
二极管正向导通时，阳极与阴极之间的电压降，与半导体材料相关：硅二极管典型 VF 约 0.6-0.8V（通常取 0.7V 计算），锗二极管约 0.2-0.3V，肖特基二极管约 0.2-0.4V；VF 随正向电流增大略有上升。
反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage, VBR）
二极管反向偏置时，反向电流急剧增大（击穿）的临界电压：普通整流二极管需避免击穿（否则永久损坏），而稳压二极管则工作于击穿区（击穿为可逆，只要电流不超过额定值）。
正向额定电流（Forward Current Rating, IF）
二极管长期正向导通时，允许通过的最大平均电流（超过会因发热损坏），如 1N4007 的 IF 为 1A，HER207 的 IF 为 2A；实际应用中需考虑散热条件，避免电流过载。
反向漏电流（Reverse Leakage Current, IR）
二极管反向偏置时，流过的极微弱电流（源于耗尽层内的少数载流子），通常随反向电压增大、温度升高而增大；优质二极管的 IR 极小（如硅二极管常温下 IR<1μA），反向漏电流过大会导致电路功耗增加。
反向恢复时间（Reverse Recovery Time, trr）
二极管从正向导通转为反向截止所需的时间：当正向电流突然反向时，二极管会先产生短暂的反向大电流（恢复电流），再逐渐降至漏电流水平，trr 是衡量二极管开关速度的关键参数（快恢复二极管 trr<100ns，普通二极管 trr>1μs）。
结电容（Junction Capacitance, Cj）
PN 结形成的等效电容，由耗尽层电容（随反向电压增大而减小）和扩散电容（随正向电流增大而增大）组成；结电容会影响二极管的高频性能，高频应用中需选择结电容小的型号（如肖特基二极管）。
最高结温（Maximum Junction Temperature, Tjmax）
二极管 PN 结允许承受的最高温度（超过会导致 PN 结失效），硅二极管典型 Tjmax 为 150-175℃，实际应用中需通过散热设计（如加装散热片）控制结温，避免过热损坏。
四、应用与电路类术语
整流（Rectification）
利用二极管单向导电性，将交流电转换为直流电的过程，常见拓扑有半波整流（仅利用交流电正半周）、全波整流（利用正、负半周，需中心抽头变压器）、桥式整流（无需中心抽头，用 4 个二极管组成桥路，效率最高）。
箝位（Clamping）
利用二极管限制电路中某点电压在特定范围的作用，如 “正向箝位” 将电压上限限制在 VF（如 0.7V），“反向箝位”（用稳压二极管）将电压下限限制在 - Vz，常用于保护电路（如防止芯片引脚过压）。
续流（Freewheeling）
在电感、继电器等感性负载电路中，并联二极管提供 “续流回路”：当负载电流突然断开时，感性负载产生的反向电动势可通过二极管释放，避免高电压击穿其他元件（该二极管称为 “续流二极管”）。
开关（Switching）
利用二极管正向导通（低阻）、反向截止（高阻）的特性，实现电路通断控制，适用于低频开关场景；高频开关需选择反向恢复时间短的二极管（如肖特基二极管、快恢复二极管），减少开关损耗。
背光驱动（Backlight Driving）
针对 LED 二极管的驱动方式，需提供恒定电流（避免 LED 亮度波动），常见驱动电路有串联限流、恒流源驱动（如采用 DC-DC 转换器），广泛用于液晶显示器（LCD）、手机屏幕的背光照明。
过压保护（Overvoltage Protection, OVP）
利用稳压二极管或 TVS 二极管（瞬态电压抑制二极管，一种特殊稳压管），当电路电压超过阈值时，二极管击穿导通，将电压钳位在安全范围，保护后级电路（如电源模块、芯片）免受过压损坏。
【二极管相关的专业术语】相关文章：
二极管的构造分类-二极管知识11-04
二极管有哪些用途-二极管的用途分类06-03
二极管有哪些应用-二极管的主要应用10-15
企业信息管理师（CIO）考试相关专业术语11-08
冰球有哪些专业术语-冰球专业术语07-23
粤剧有哪些专业术语-粤剧的专业术语10-18
二极管有哪些特性08-02
二极管的特性分类10-18
二极管的检测方法07-21